3. โครงสร้างภายใน ( Bias ) บกพร่อง
- ให้วัดคร่อมที่ขา D และขา S 1 ครั้ง จนเข็มมิเตอร์ชี้ค่าความต้านทานขึ้น
- จากนั้นนำสายวัดที่ขา D มาแตะที่ขา G แล้วนำไปแตะที่ขา D อีกครั้ง
- ให้สังเกตุเข็มมิเตอร์ ถ้าค่าความต้านทานมีค่าลดลงจากเดิมจนถึงใกล้กับศูนย์ จากนั้นเข็มมิเตอร์เข็มมิเตอร์ค่อยชี้ค่าความต้านทานเพิ่มขึ้นจนใกล้เท่าเดิม แสดงว่า MOSFET นั้นดี แต่ถ้าแตะที่ขา G แล้วค่าความต้านทานไม่เปลี่ยนแปลง แสดงว่า MOSFET ตัวนั้นโครงการไบอัสภายในเสีย |